Электронный микроскоп

           
 

Химическая структура синтетических продуктов

В целях определения состава синтетических продуктов, используют дифракцию электронов отдельной зоны трансмиссионного электронного микроскопа, проводят анализ синтетических продуктов. Посредством проведения калибровки шаблона выбранной области электронной дифракции было обнаружено, что основной кристалл синтетического продукта не является шестигранным. Соотношение sin2Oi/ sin2O1 любой кристаллографической плоскости близко к целым числам, соотношение по закону 1, 2, 4, 5, 8, 10 ..., что говорит о том, что основной кристалл имеет 4 грани или ортогональную структуру. Этот результат согласуется с результатом XRD спектральной калибровки синтетического продукта. Если основной кристалл - четырехгранный, как показано на рисунке 2b (110) и (020) угол кристаллографической плоскости равен 45°, а фактическое значение 47° , это говорит о том, что основной кристалл имеет ортогональную структуру. Пройдя расчеты, параметры его решетки: а = 0.4776nm, B = 0.4585nm, C = 0.3629nm. Этот и используемый подобный образец в рентгеновском дифракционном спектре имеет значение d 31 дифракционного пика и ортогональное совпадение. При дальнейшем анализе шаблона дифракции электронов выбранной области, было обнаружено, что среди синтетических продуктов также есть небольшое количество из шести фаз и кубической фазы, морфология шести-фазы и кубической фазы и шаблон дифракции электронов отдельные области показаны на рисунке 3,4. Этот и аналогичный образец в рентгеновском дифракционном спектре имеет значение d 10 дифракционных пиков и соответствует шести фазам; имеет значение d пяти дифракционных пиков и соответствует интервал кубической кристаллографической плоскости, среди которых ортогональная (110), (120 ), (002), (220), (103) кристаллографическая плоскость в отдельности совпадает с дифракционным пиком шестигранной (002), (101), (102), (004), (112) кристаллографической плоскости; ортогональная кристаллографическая плоскость совпадает с дифракционным пиком кубической кристаллической плоскости.
Кроме того, существующие два дифракционных пика пока еще не известны. Значение d каждого дифракционного пика и связь всех соответствующих кристаллографических плоскостей показаны в таблице 1. После расчета параметры шестигранного кристалла: A = 0.2506nm, C = 0.6657nm; параметры кубического кристалла: A = 0.3492nm.

Заключение Использование SEM и EDS для синтеза тримеламина и борной кислоты в составе BCN прекурсоров B0.54C0.28N0.18. Проводя обработку 5.5GPa, 1600 ℃ и высоким давлением в роли катализатора Ca3B2N4, достигнув среднего состава соединений B0.47C0.23N0.30. Анализ дифракции электронов выбранной области показал, что синтетический продукт состоит из трех составляющих, основной кристалл - ортогональный, параметры его кристаллов: а = 0.4776nm, B = 0,4585 и с = 0.3629nm. Также есть небольшое количество шестигранных и кубических кристаллов, основные параметры шестигранных: A = 0.2506nm, C = 0.6657nm; параметры кубических: A = 0.3492nm.

Рисунок 2: светлое поле ТЕМ ортогонального BCN кристалла (а) и образец дифракции электронов выбранной области (б)
Рисунок 3: светлое поле ТЕМ шестигранного (а) и образец электронной дифракции выбранной области (BD)
Рисунок 4: светлое поле ТЕМ кубического (а) и образец электронной дифракции выбранной области (BD)
 

     Главная     Новинки      Статьи      Карта сайта     Контакты                                                  
© 2009-2011 электронные микроскопы KYKY • Москва
Яндекс.Метрика